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YYVIP易游飞恩微电子申请压力缓冲结构及压力传感器专利降低过强的瞬间对敏感元件的冲击

更新时间:2026-01-15点击次数:

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YYVIP易游飞恩微电子申请压力缓冲结构及压力传感器专利降低过强的瞬间压力对压力敏感元件的冲击

  国家知识产权局信息显示,武汉飞恩微电子有限公司申请一项名为“压力缓冲结构及压力传感器”的专利,公开号CN121230945A,申请日期为2025年9月。

  专利摘要显示,一种压力传感器包括:压力接口管,所述压力接口管内形成有一纵向的压力引入通道;压力缓冲元件,固定于所述压力引入通道内,形成于其外侧壁上的沟槽与所述压力引入通道的内侧壁合围形成用于对瞬时压力进行缓冲的弯曲通道;所述弯曲通道包括多个横向通道部分和多个纵向通道部分,多个所述横向通道部分和多个所述纵向通道部分由外向内依次交替地连通;本发明通过设置弯曲通道,并通过将弯曲通道设置为多个横向通道部分和多个纵向通道部分,可以延长待测压力介质的传递路径,以及可以改变待测压力介质传递方向,从而降低过强的瞬间压力对压力敏感元件的冲击。

  天眼查资料显示,武汉飞恩微电子有限公司,成立于2011年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2862.129424万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉飞恩微电子有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目10次,财产线条,此外企业还拥有行政许可7个。

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